ГЕНЕРАЦИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКОЙ BST ПРИ ДЕЙСТВИИ ОДНООСНОЙ НАГРУЗКИ

Сведения об авторах
  • Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия; Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
  • Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
  • Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия

Аннотация

Электромеханические свойства сегнетоэлектрической пленки титаната бария стронция (BST) на подложке кремния зависят от приложенной деформации. Особенно сильная зависимость наблюдается для концентраций, близких к значениям, при которых происходит смена фазовых состояний сегнетоэлектрической пленки. В рамках термодинамической теории фазовых переходов исследована модель монокристаллической пленки BST вблизи такой области под действием одноосной растягивающей нагрузки. Полученные в модели материальные постоянные пленки использованы для численных расчетов возбуждения рэлеевских акустических волн на поверхности гетероструктуры пленка-подложка. Показано, что при изменении деформации происходит смещение экстремумов S-параметров, характеризующих эффективность возбуждения поверхностных волн. Приведено изменение S-параметров для первых трех резонансов, определяемых геометрией встречно-штыревых электродов. Наибольшее смещение резонансных частот наблюдается для второго резонанса – волны Сезава.

Ключевые слова

сегнетоэлектрикититанат бария станцияфеменологическая теорияметод конечных элементовповерхностные акустические волны

Литература

  1. 1.Ferroelectric materials for microwave tunable applications / A.K. Tagantsev, V.O. Sherman, K.F. Astafiev, J. Venkatesh, N. Setter // Journal of Electroceramics. – 2003. – Vol. 11. – P. 5–66. DOI: 10.1023/B:JECR.0000015661.81386.e6 Scholar
  2. 2.Gevorgian S. Ferroelectrics in microwave devices, circuits and systems. Physics, Modelling, fabrication and measurements. – London: Springer-Verlag, 2009. – 396 p. DOI: 10.1007/978-1-84882-507-9 Scholar
  3. 3.Dawber M., Rabe K.M., Scott J.F. Physics of thin-film ferroelectric oxides // Rev. Mod. Phys. – 2005. – Vol. 77. – P. 1083–1130. DOI: 10.1103/RevModPhys.77.1083 Scholar
  4. 4.Ferroelectric thin films: Review of materials, properties, and applications / N. Setter, D. Damjanovic, L. Eng, G. Fox [et al.] // Journal of Applied Physics. – 2006. – Vol. 100. – P. 051606(47). DOI: 10.1063/1.2336999 Scholar
  5. 5.Martin L.W., Chu Y.-H., Ramesh R. Advances in the growth and characterization of magnetic, ferroelectric, and multiferroic oxide thin films // Materials Science and Engineering R. – 2010. – Vol. 68. – P. 89–133. DOI: 10.1016/j.mser.2010.03.001 Scholar
  6. 6.Ahmed A., Goldthorpe I.A., Khandani A.K. Electrically tunable materials for microwave applications // Applied Physics Reviews. – 2015. – Vol. 2. – P. 011302(17). DOI: 10.1063/1.4906255 Scholar
  7. 7.Strain tuning of ferroelectric thin films / D.G. Schlom, L.-Q. Chen, C.-B. Eom, K.M. Rabe [et al.] // Annu. Rev. Mater. Res. – 2007. – Vol. 37. – P. 589–626. DOI: 10.1146/annurev.matsci.37.061206.113016 Scholar
  8. 8.Cao J., Wu J. Strain effects in low-dimensional transition metal oxides // Materials Science and Engineering R. – 2011. – Vol. 71. – P. 35–52. DOI: 10.1016/j.mser.2010.08.001 Scholar
  9. 9.Elastic strain engineering of ferroic oxides / D.G. Schlom, L.-Q. Chen, C.J. Fennie, V. Gopalan [et al.] // MRS Bulletin. – 2014. – Vol. 39. – P. 118–130. DOI: 10.1557/mrs.2014.1 Scholar
  10. 10.New modalities of strain-control of ferroelectric thin films / A.R. Damodaran, J.C. Agar, S. Pandya, Z. Chen [et al.] // J. Phys.: Condens. Matter. – 2016. – Vol. 28. – P. 263001(36). DOI: 10.1088/0953-8984/28/26/263001 Scholar

Другие статьи выпуска

Весь выпуск (№ 1, 2023)

Показаны 12 из 15

Скачать PDF

Информация о статье

Опубликована
29.05.2023
В выпуске
29.05.2023
Выпуск
№ 1 (2023)
Поделиться