О ТЕНЗОРЕ ХИМИЧЕСКОГО СРОДСТВА В ХЕМОМЕХАНИКЕ ДЕФОРМИРУЕМЫХ ТЕЛ

Сведения об авторах
  • Институт проблем машиноведения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Российская Федерация
  • Институт проблем машиноведения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Аннотация

Выводится выражение тензора химического сродства для химических реакций в деформируемом теле. Рассматривается реакция между диффундирующим и деформируемым твердым компонентами. Продукт реакции также является деформируемым твердым материалом. Реакция сопровождается собственной деформацией превращения. Для открытой системы «деформируемые и диффундирующая компоненты», в которой протекает химическая реакция, локализованная на фронте реакции, для случая конечных деформаций записываются балансы массы, импульса, энергии и второй закон термодинамики в виде неравенства Клаузиуса – Дюгема. Вводится параметр, характеризующий степень участия в реакции диффундирующего компонента, расположенного по разные стороны фронта реакции. В результате выводится выражение для производства энтропии вследствие химической реакции на распространяющемся фронте реакции. Соответствующее выражение для диссипации энергии имеет вид произведения нормальной компоненты тензора, имеющего смысл тензора химического сродства, на скорость реакции на ориентированной площадке фронта. Выражение следует из фундаментальных законов без использования определяющих соотношений компонентов реакции. Тензор сродства равен линейной комбинации тензоров химического потенциала твердых компонентов реакции, равных тензорам энергии-импульса Эшелби, деленным на плотности материала, и химического потенциала диффундирующего компонента. Тензорность сродства объясняется протеканием реакции не в точке деформируемого тела, а на ориентированной площадке, проходящей через точку, подобно тому, как усилия в негидростатически напряженном теле, в отличие от давления в точке, рассматривают на ориентированных площадках и определяют тензором напряжений. С точки зрения механики конфигурационных сил тензор сродства определяет конфигурационную силу, управляющую распространением фронта реакции. Непротиворечивость результата подтверждается совпадением с классическим выражением сканлорного сродства в случае гидростатически напряженного тела. Выведенное выражение тензора сродства дает возможность сформулировать кинетическое уравнение для реакции, в котором напряженно-деформированное состояние влияет на реакцию через сродство. Это уравнение является замыкающим для связанной задачи «химия – диффузия – механика». Важность результата обусловлена также возможностью его использования при моделировании объемных химических реакций, которые на мезоуровне протекают на распространяющихся фронтах реакции.

Ключевые слова

хемомеханикатензор химического сродствахимический потенциалдеформируемое твердое телофронт химической реакциискорость реакциидиффузиятермодинамика открытых системтензор энергии-импульса Эшелбимеханика конфигурационных силфундаментальные законымежфазная границаповерхность разрыва деформацийконечные деформации.

Литература

  1. 1.Stringer, J. Stress generation and relief in growing oxide films / J. Stringer // Corrosion Science. – 1970. – P. 513–543. DOI: 10.1016/S0010-938X(70)80036-1 Scholar
  2. 2.Two-dimensional thermal oxidation of silicon-I. Experiments / D. Kao, J. McVitie, W. Nix, K. Saraswat // IEEE Trans. Electron Devices. – Vol. ED-34. – P. 1008–1017. DOI: 10.1109/T-ED.1987.23037 Scholar
  3. 3.Two-dimensional thermal oxidation of silicon-II. Modeling stress effect in wet oxides / D. Kao, J. McVitie, W. Nix, K. Saraswat // IEEE Trans. Electron Devices. – Vol. ED-35. – P. 25–37. DOI: 10.1109/16.2412 Scholar
  4. 4.Mihalyi, A. Stress effects in the oxidation of planar silicon substrates / A. Mihalyi, R.J. Jacodine, T.J. Delph // Applied Physics Letters. – Vol. 74. – P. 1981–1983. doi: 10.1063/1.123720 Scholar
  5. 5.Yen, J.Y. Enhancement of silicon oxidation rate due to tensile mechanical stress / J.Y. Yen, J.G. Hwu // Applied Physics Letter. – 2000. – Vol. 76. – P. 1834–1835. DOI: 10.1063/1.126181 Scholar
  6. 6.Muhlstein, C. High-cycle fatigue and durability of polycrystalline silicon thin films in ambient air / C. Muhlstein, S. Brown, R. Ritchie // Sensors and Actuators. – 2001. – Vol. A94. – P. 177–188. DOI: 10.1557/PROC-657-EE5.8 Scholar
  7. 7.Muhlstein, C. High-cycle fatigue of micron-scale polycrystalline silicon films: fracture mechanics analyses of the role of the silica/silicon interface / C. Muhlstein, R. Ritchie // Int. J. of Fract. – 2003. – Vol. 119/120. – P. 449–474. DOI: 10.1023/A:1024988031390 Scholar
  8. 8.Muhlstein, C. A reaction-layer mechanism for the delayed failure of micron-scale polycrystalline silicon structural films subjected to high-cycle fatigue loading / C. Muhlstein, E. Stach, R. Ritchie // Acta Materialia. – 2002. – Vol. 50. – P. 3579–3595. DOI: 10.1016/S1359-6454(02)00158-1 Scholar
  9. 9.Böhme, T. Numerical modeling of diffusion induced phase transformations in mechanically stressed lead-free alloys / T. Böhme, W.H. Müller, K. Weinberg // Computational Materials Science. – 2009. – Vol. 45. – P. 837–844. DOI: 10.1016/j.commatsci.2008.08.015 Scholar
  10. 10.Effect of Sn grain c-axis on Cu atomic motion in Cu reinforced composite solder joints under electromigration / Y. Wang, Y. Wang, L. Ma, L. Han, F. Guo // Journal of Electronic Materials. – 2020. – Vol. 49. – P. 2159–2163. DOI: 10.1007/s11664-019-07897-x Scholar

Другие статьи выпуска

Весь выпуск (№ 5, 2025)
Скачать PDF

Информация о статье

Опубликована
17.12.2025
В выпуске
17.12.2025
Выпуск
№ 5 (2025)
Поделиться